PROM: por las siglas de Programmable Read Only memory, en
castellano ROM programable, se caracteriza por ser digital. En ella, cada uno
de los bits depende de un fusible, el cual puede ser quemado una única vez.
Esto ocasiona que, a través de un programador PROM, puedan ser programadas por
única vez. La memoria PROM es utilizada en casos en que los datos necesiten
cambiarse en todos o la mayoría de los casos. También se recurre a ella cuando
aquellos datos que quieran almacenarse fe forma permanente no superen a los de
la ROM.
EPROM: por las siglas en inglés de Erasable Programmable
Read-Only Memory, en castellano, ROM programable borrable de sólo lectura. Esta
memoria ROM es un chip no volátil y está conformada por transistores de puertas
flotantes o celdas FAMOS que salen de fábrica sin carga alguna. Esta memoria
puede programarse a través de un dispositivo electrónico cuyos voltajes superan
a los usados en circuitos electrónicos. A partir de esto, las celdas comienzan
a leerse como 1, previo a esto se lo hace como 0. Esta memoria puede ser
borrada sólo si se la expone a luces ultravioletas. Una vez que la EPROM es
programada, se vuelve no volátil, o sea que los datos almacenados permanecen
allí de forma indefinida. A pesar de esto, puede ser borrada y reprogramada con
la utilización de elevados niveles de voltaje. Si bien actualmente siguen
siendo utilizadas, presentan algunas desventajas, entre ellas que el proceso de
borrado del chip es siempre total, es decir que no se puede seleccionar alguna
dirección en particular. Por otro lado, para reprogramarlas o borrarlas, deben
removerse de su circuito y este proceso lleva por lo menos veinte minutos.
Estas desventajas han sido superadas por memorias flash y EEPROM, por lo que
las EPROM están cayendo en desuso en ciertos diseños y aplicaciones.
EEPROM: por las siglas en inglés de Electrically Erasable
Programmable Read Only Memory, en castellano ROM programable y borrable
eléctricamente. Esta memoria, como su nombre indica puede ser programada,
borrada y reprogramada eléctricamente y no con rayos ultravioleta, como en el
caso de las EPROM, lo que hace que resulten no volátiles. Además de tener las
puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una capa de óxido ubicado en
el drenaje de la celda MOSFET, lo que permite que la memoria pueda borrarse
eléctricamente. Como para realizar esto no se precisan programadores especiales
ni rayos ultravioletas, se puede hacer en el propio circuito. Además presenta
la posibilidad de reescribir y borrar bytes individualmente, y son más fáciles
y veloces de reprogramar que las anteriores.
Las desventajas que presenta en comparación a las anteriores son la
densidad y sus costos altos.
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